单四极杆 ICP-MS

Agilent 7900 ICP-MS 在一台紧凑的台式单四极杆仪器中实现了高性能。它是一种经济有效的解决方案，适用于测量制程化学品和低纯度材料中的痕量污染。7900具有处理大多数半导体样品类型所需的高性能和灵活性，可配备用于分析纳米颗粒、有机溶剂和高腐蚀性酸的选件和附件。它是许多半导体公司的常规分析仪器。

当今的技术世界高度依赖集成电路(IC)，其广泛存在于从制造机器人到智能灯泡、从移动电话到 汽车和航空航天的各种设备中。

硅基IC器件由数百万个封装在硅片芯片上的单个晶体管（或开关）制成。该器件由氧化物、多晶硅、氮化硅绝缘体和导电金属互连件的图案层构成。这些层通过"通孔"连接以形成提供所需计算或存储功能的3D结构。

创新产品

自20世纪80年代推出以来，ICP-MS便一直为半导体制造商和供应商所用。但是不断变化的行业要求导致对分析仪器性能提出了更高的要求。安捷伦与业界密切合作，推出了许多创新成果以满足这些不断变化的需求。这些创新成果满足了半导体行业的苛刻要求，并且也使ICP-MS的其他应用获益。

气相分解

清洁、蚀刻氧化物生长和离子注入过程可能会在半导体器件中引入金属污染。痕量污染物也可能来自用于生产块状多晶硅的石英岩（砂）以及切割晶圆的纯单晶硅锭。石英岩中的主要污染元素是铁、铝、钙和钛，而在将石英岩转化为98%纯硅的碳热还原过程中可能引入其他元素。然后利用气相纯化和化学气相沉积去除大部分杂质，得到纯度约为8个9的二氧化硅。切割和抛光晶圆也可能引入痕量元素，例如来自化学机械平坦化（或抛光）浆液。较受关注的元素是过渡金属和碱性元素，但是它们未必均匀分布在晶圆中。铁可能通过硅块衬底扩散到表面氧化层中，而钛杂质水平可能因单晶Si锭熔化和冷却过程中的偏析而变化。